货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥6.279578 | ¥18838.73 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 78 A
漏源电阻 7.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.4 ns
正向跨导(Min) 72 S
上升时间 3.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 9.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
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0NTMYS4D6N04CLTWG
型号:NTMYS4D6N04CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥6.279578 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00