
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.65303 | ¥8.65 |
| 10 | ¥7.7468 | ¥77.47 |
| 25 | ¥7.308302 | ¥182.71 |
| 100 | ¥5.700476 | ¥570.05 |
| 250 | ¥5.55431 | ¥1388.58 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 11.5 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 65 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK290A65Y,S4X
型号:TK290A65Y,S4X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.65303 |
| 10+: | ¥7.7468 |
| 25+: | ¥7.308302 |
| 100+: | ¥5.700476 |
| 250+: | ¥5.55431 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.65