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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥7.601039 | ¥7.60 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 20 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 35.4 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22.8 ns
正向跨导(Min) 22 S
上升时间 12.7 ns
晶体管类型 P-Channel
典型关闭延迟时间 44.9 ns
典型接通延迟时间 8.6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMG4435SSS-13
型号:DMG4435SSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥7.601039 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.60