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IXTA1R6N100D2HV

IXYS(艾赛斯.力特)
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制造商编号:
IXTA1R6N100D2HV
制造商:
IXYS(艾赛斯.力特)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH
渠道:
digikey

库存 :189

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 57.835582 57.84
10 48.591991 485.92
100 39.310517 3931.05
500 34.942289 17471.14
1000 29.919306 29919.31
2000 28.172243 56344.49

规格参数

关键信息

制造商 IXYS

商标 IXYS

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 1 kV

漏极电流 1.6 A

漏源电阻 10 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.5 V

栅极电荷 27 nC

耗散功率 100 W

通道模式 Depletion

配置 Single

下降时间 41 ns

正向跨导(Min) 0.65 S

上升时间 65 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 34 ns

典型接通延迟时间 27 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 2.500 g

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型号:IXTA1R6N100D2HV

品牌:IXYS

供货:锐单

库存:189 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥57.835582
10+: ¥48.591991
100+: ¥39.310517
500+: ¥34.942289
1000+: ¥29.919306
2000+: ¥28.172243

货期:7-10天

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