货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.921758 | ¥13.92 |
10 | ¥10.0971 | ¥100.97 |
100 | ¥6.896625 | ¥689.66 |
500 | ¥5.370434 | ¥2685.22 |
1000 | ¥4.864966 | ¥4864.97 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 28 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 46 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 29 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 100 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 8.9 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR2705TRPBF SP001578864
单位重量 330 mg
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0IRLR2705TRPBF
型号:IRLR2705TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.921758 |
10+: | ¥10.0971 |
100+: | ¥6.896625 |
500+: | ¥5.370434 |
1000+: | ¥4.864966 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.92