
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥73.721716 | ¥73.72 |
| 10 | ¥61.877665 | ¥618.78 |
| 100 | ¥50.062189 | ¥5006.22 |
| 500 | ¥44.499915 | ¥22249.96 |
| 1000 | ¥38.102983 | ¥38102.98 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 20.2 A
漏源电阻 199 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
正向跨导(Min) 20 S
上升时间 10 ns
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 20 ns
高度 1.1 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 449.030 mg
购物车
0FCMT199N60
型号:FCMT199N60
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥73.721716 |
| 10+: | ¥61.877665 |
| 100+: | ¥50.062189 |
| 500+: | ¥44.499915 |
| 1000+: | ¥38.102983 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥73.72