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NVMFS5H663NLT1G

ON(安森美)
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制造商编号:
NVMFS5H663NLT1G
制造商:
ON(安森美)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
T8 60V LOW COSS
渠道:
digikey

库存 :1430

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 10.728715 10.73
200 4.147476 829.50
500 4.003466 2001.73
1000 3.931462 3931.46

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 67 A

漏源电阻 7.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 17 nC

耗散功率 63 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 9.5 ns

正向跨导(Min) 64 S

上升时间 52.7 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 26.2 ns

典型接通延迟时间 13.4 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 750 mg

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NVMFS5H663NLT1G

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型号:NVMFS5H663NLT1G

品牌:ON

供货:锐单

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1+: ¥10.728715
200+: ¥4.147476
500+: ¥4.003466
1000+: ¥3.931462

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