货期: 8周-10周
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥32.510393 | ¥32510.39 |
2000 | ¥30.612 | ¥61224.00 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 560 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 555 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 23 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SIHB12N50C-E3
型号:SIHB12N50C-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥32.510393 |
2000+: | ¥30.612 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00