货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.982204 | ¥22.98 |
10 | ¥20.634559 | ¥206.35 |
25 | ¥19.463208 | ¥486.58 |
100 | ¥15.179375 | ¥1517.94 |
250 | ¥14.790161 | ¥3697.54 |
500 | ¥12.844087 | ¥6422.04 |
1000 | ¥10.898012 | ¥10898.01 |
2500 | ¥10.742327 | ¥26855.82 |
5000 | ¥9.963898 | ¥49819.49 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 4.3 A
漏源电阻 1.1 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 16 nC
耗散功率 69 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导(Min) 1.5 S
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26 ns
典型接通延迟时间 12 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
购物车
0SIHU4N80E-GE3
型号:SIHU4N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.982204 |
10+: | ¥20.634559 |
25+: | ¥19.463208 |
100+: | ¥15.179375 |
250+: | ¥14.790161 |
500+: | ¥12.844087 |
1000+: | ¥10.898012 |
2500+: | ¥10.742327 |
5000+: | ¥9.963898 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.98