FQI8N60CTU
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- 制造商编号：
- FQI8N60CTU
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥19.330739 | ￥19330.74 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7.5 A
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 36 nC
耗散功率 3.13 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64.5 ns
正向跨导（Min） 8.7 S
上升时间 60.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 81 ns
典型接通延迟时间 16.5 ns
外形参数
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQI8N60CTU_NL
单位重量 4 g
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注
FQI8N60CTU品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FQI8N60CTU
数据手册PDF。
FQI8N60CTU
型号：FQI8N60CTU
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥19.330739 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00