货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.512788 | ¥43.51 |
10 | ¥39.088583 | ¥390.89 |
100 | ¥32.028086 | ¥3202.81 |
500 | ¥27.26526 | ¥13632.63 |
1000 | ¥24.637232 | ¥24637.23 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 39.6 A
漏源电阻 31.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 38 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 27 S
上升时间 20 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 9 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
购物车
0SIDR610DP-T1-GE3
型号:SIDR610DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.512788 |
10+: | ¥39.088583 |
100+: | ¥32.028086 |
500+: | ¥27.26526 |
1000+: | ¥24.637232 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.51