FCI25N60N-F102
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FCI25N60N-F102
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 107 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 216 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 7.88 mm
长度 10.29 mm
宽度 4.83 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCI25N60N_F102
单位重量 2.387 g
FCI25N60N-F102 同类别型号
注
FCI25N60N-F102品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FCI25N60N-F102
数据手册PDF。
FCI25N60N-F102
型号：FCI25N60N-F102
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00