IPP086N10N3GXKSA1
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- 制造商编号：
- IPP086N10N3GXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.652732 | ￥12.65 |
| 10 | ￥11.381708 | ￥113.82 |
| 100 | ￥9.149651 | ￥914.97 |
| 500 | ￥7.517103 | ￥3758.55 |
| 1000 | ￥6.264253 | ￥6264.25 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPP086N10N3GXKSA1
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
包装
Tube
系列
OptiMOS™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.6mOhm @ 73A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
55nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3980pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
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注
IPP086N10N3GXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF
。
IPP086N10N3GXKSA1
型号：IPP086N10N3GXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥12.652732 |
| 10+： | ￥11.381708 |
| 100+： | ￥9.149651 |
| 500+： | ￥7.517103 |
| 1000+： | ￥6.264253 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.65