
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.805512 | ¥20.81 |
| 10 | ¥13.997826 | ¥139.98 |
| 100 | ¥9.801539 | ¥980.15 |
| 500 | ¥7.923229 | ¥3961.61 |
| 1000 | ¥7.308549 | ¥7308.55 |
| 2000 | ¥6.787493 | ¥13574.99 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVIII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 45 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.85 mm
长度 3.1 mm
宽度 3.1 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
购物车
0TPN2R703NL,L1Q
型号:TPN2R703NL,L1Q
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.805512 |
| 10+: | ¥13.997826 |
| 100+: | ¥9.801539 |
| 500+: | ¥7.923229 |
| 1000+: | ¥7.308549 |
| 2000+: | ¥6.787493 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.81