货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1000 | ¥7.741164 | ¥7741.16 |
2000 | ¥7.354146 | ¥14708.29 |
5000 | ¥7.077601 | ¥35388.00 |
10000 | ¥6.843314 | ¥68433.14 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 19 nC
耗散功率 107 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.2 ns
上升时间 3.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 7.5 ns
典型接通延迟时间 4.4 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB17N25S3-100 SP000876560
单位重量 4 g
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0IPB17N25S3100ATMA1
型号:IPB17N25S3100ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥7.741164 |
2000+: | ¥7.354146 |
5000+: | ¥7.077601 |
10000+: | ¥6.843314 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00