货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1000 | ¥10.906171 | ¥10906.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 360 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 14 nC
耗散功率 43 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 41.5 ns
典型接通延迟时间 15.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R360CFD7 SP002621072
单位重量 4 g
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0IPB60R360CFD7ATMA1
型号:IPB60R360CFD7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1000+: | ¥10.906171 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00