SIHB12N50E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHB12N50E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
- 渠道：
- digikey
库存 ：12
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥32.159348 | ￥32.16 |
| 10 | ￥28.915079 | ￥289.15 |
| 25 | ￥27.274527 | ￥681.86 |
| 100 | ￥21.271921 | ￥2127.19 |
| 250 | ￥20.726487 | ￥5181.62 |
| 500 | ￥17.999318 | ￥8999.66 |
| 1000 | ￥15.272148 | ￥15272.15 |
| 2500 | ￥15.053975 | ￥37634.94 |
| 5000 | ￥13.963107 | ￥69815.54 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 550 V
漏极电流 10.5 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 114 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SIHB12N50E-GE3 同类别型号
注
SIHB12N50E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购SIHB12N50E-GE3、查询SIHB12N50E-GE3代理商；
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替代型号
、SIHB12N50E-GE3
数据手册PDF。
SIHB12N50E-GE3
型号：SIHB12N50E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：12 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥32.159348 |
| 10+： | ￥28.915079 |
| 25+： | ￥27.274527 |
| 100+： | ￥21.271921 |
| 250+： | ￥20.726487 |
| 500+： | ￥17.999318 |
| 1000+： | ￥15.272148 |
| 2500+： | ￥15.053975 |
| 5000+： | ￥13.963107 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥32.16