
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥32.867703 | ¥32.87 |
| 10 | ¥29.552598 | ¥295.53 |
| 25 | ¥27.875213 | ¥696.88 |
| 100 | ¥21.742269 | ¥2174.23 |
| 250 | ¥21.184369 | ¥5296.09 |
| 500 | ¥18.396848 | ¥9198.42 |
| 1000 | ¥15.609325 | ¥15609.33 |
| 2500 | ¥15.386336 | ¥38465.84 |
| 5000 | ¥14.271383 | ¥71356.91 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 5.4 A
漏源电阻 820 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 78 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 13 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIHP6N80E-BE3
单位重量 2 g
购物车
0SIHP6N80E-GE3
型号:SIHP6N80E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥32.867703 |
| 10+: | ¥29.552598 |
| 25+: | ¥27.875213 |
| 100+: | ¥21.742269 |
| 250+: | ¥21.184369 |
| 500+: | ¥18.396848 |
| 1000+: | ¥15.609325 |
| 2500+: | ¥15.386336 |
| 5000+: | ¥14.271383 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥32.87