货期:(7~10天)
起订量:75
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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75 | ¥8.561387 | ¥642.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 84 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 20.2 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.9 ns
上升时间 10.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 28.3 ns
典型接通延迟时间 5.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
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0DMT10H009LH3
型号:DMT10H009LH3
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
75+: | ¥8.561387 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00