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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 5.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 10 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 85.100 mg
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0CSD16342Q5A
型号:CSD16342Q5A
品牌:TI
供货:锐单
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