货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥23.118252 | ¥23.12 |
10 | ¥20.743089 | ¥207.43 |
100 | ¥16.996749 | ¥1699.67 |
500 | ¥14.469109 | ¥7234.55 |
1000 | ¥12.202853 | ¥12202.85 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 168 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 30 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 11 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA65R190C7 SP001080140
单位重量 2 g
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0IPA65R190C7XKSA1
型号:IPA65R190C7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥23.118252 |
10+: | ¥20.743089 |
100+: | ¥16.996749 |
500+: | ¥14.469109 |
1000+: | ¥12.202853 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.12