CSD18510Q5BT
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- 制造商编号：
- CSD18510Q5BT
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
- 渠道：
- digikey
库存 ：250
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥24.521298 | ￥6130.32 |
| 500 | ￥21.294766 | ￥10647.38 |
| 1250 | ￥18.068091 | ￥22585.11 |
| 2500 | ￥17.164765 | ￥42911.91 |
| 6250 | ￥16.519431 | ￥103246.44 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 153 nC
耗散功率 156 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
正向跨导（Min） 147 S
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 44 ns
典型接通延迟时间 8 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 120.700 mg
CSD18510Q5BT 同类别型号
注
CSD18510Q5BT品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、CSD18510Q5BT
数据手册PDF
。
CSD18510Q5BT
型号：CSD18510Q5BT
品牌：TI
供货：锐单
库存：250 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥24.521298 |
| 500+： | ￥21.294766 |
| 1250+： | ￥18.068091 |
| 2500+： | ￥17.164765 |
| 6250+： | ￥16.519431 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00