TSM13ND50CI
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- 制造商编号：
- TSM13ND50CI
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- 500V 13A SINGLE N-CHANNEL POWER
- 渠道：
- digikey
库存 ：3959
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.367436 | ￥24.37 |
| 10 | ￥21.944859 | ￥219.45 |
| 25 | ￥20.706653 | ￥517.67 |
| 100 | ￥16.15051 | ￥1615.05 |
| 250 | ￥15.73683 | ￥3934.21 |
| 500 | ￥13.666164 | ￥6833.08 |
| 1000 | ￥11.595498 | ￥11595.50 |
| 2500 | ￥11.429885 | ￥28574.71 |
| 5000 | ￥10.601675 | ￥53008.38 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
TSM13ND50CI
制造商
Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造)
商品描述
500V 13A SINGLE N-CHANNEL POWER
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
480mOhm @ 3.3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
39nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1877pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
57W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
ITO-220
封装/外壳
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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注
TSM13ND50CI品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TSM13ND50CI
数据手册PDF。
TSM13ND50CI
型号：TSM13ND50CI
品牌：Taiwan Semiconductor
供货：锐单
库存：3959 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥24.367436 |
| 10+： | ￥21.944859 |
| 25+： | ￥20.706653 |
| 100+： | ￥16.15051 |
| 250+： | ￥15.73683 |
| 500+： | ￥13.666164 |
| 1000+： | ￥11.595498 |
| 2500+： | ￥11.429885 |
| 5000+： | ￥10.601675 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.37