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CSD18510Q5BT

TI(德州仪器)
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制造商编号:
CSD18510Q5BT
制造商:
TI(德州仪器)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON
渠道:
digikey

库存 :551

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 33.159379 33.16
10 27.574642 275.75
100 21.948767 2194.88

规格参数

关键信息

制造商 Texas Instruments

商标名 NexFET

商标 Texas Instruments

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 40 V

漏极电流 100 A

漏源电阻 1.2 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1.2 V

栅极电荷 153 nC

耗散功率 156 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 15 ns

正向跨导(Min) 147 S

上升时间 17 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 44 ns

典型接通延迟时间 8 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 120.700 mg

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CSD18510Q5BT

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型号:CSD18510Q5BT

品牌:TI

供货:锐单

库存:551 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥33.159379
10+: ¥27.574642
100+: ¥21.948767

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