
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.591461 | ¥1774.38 |
| 6000 | ¥0.558647 | ¥3351.88 |
| 15000 | ¥0.509339 | ¥7640.09 |
| 30000 | ¥0.476468 | ¥14294.04 |
| 75000 | ¥0.42716 | ¥32037.00 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 800 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 950 mV
栅极电荷 913 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.7 ns
正向跨导(Min) 3.3 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16.9 ns
典型接通延迟时间 4.1 ns
高度 0.35 mm
长度 1 mm
宽度 0.64 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD25481F4
型号:CSD25481F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.591461 |
| 6000+: | ¥0.558647 |
| 15000+: | ¥0.509339 |
| 30000+: | ¥0.476468 |
| 75000+: | ¥0.42716 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00