搜索

SI7113DN-T1-E3

SILICONIX(威世)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
SI7113DN-T1-E3
制造商:
SILICONIX(威世)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
渠道:
digikey

库存 :13168

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 34.630738 34.63
10 28.768249 287.68
100 22.897102 2289.71
500 19.37491 9687.45
1000 16.439212 16439.21

规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 13.2 A

漏源电阻 134 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 35 nC

耗散功率 52 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 10 ns

正向跨导(Min) 25 S

上升时间 13 ns

晶体管类型 1 P-Channel

典型关闭延迟时间 42 ns

典型接通延迟时间 11 ns

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7113DN-E3

单位重量 1 g

SI7113DN-T1-E3 相关产品

SI7113DN-T1-E3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI7113DN-T1-E3、查询SI7113DN-T1-E3代理商; SI7113DN-T1-E3价格批发咨询客服;这里拥有 SI7113DN-T1-E3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到SI7113DN-T1-E3 替代型号 、SI7113DN-T1-E3 数据手册PDF

购物车

SI7113DN-T1-E3

锐单logo

型号:SI7113DN-T1-E3

品牌:SILICONIX

供货:锐单

库存:13168 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥34.630738
10+: ¥28.768249
100+: ¥22.897102
500+: ¥19.37491
1000+: ¥16.439212

货期:7-10天

+ -

单价:¥0.00总价:¥34.63