货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥43.088825 | ¥43.09 |
10 | ¥38.661566 | ¥386.62 |
100 | ¥31.673837 | ¥3167.38 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 85 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 120 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
正向跨导(Min) 79 S
上升时间 24 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SQM85N15-19_GE3
型号:SQM85N15-19_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥43.088825 |
10+: | ¥38.661566 |
100+: | ¥31.673837 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥43.09