SQJ858EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ858EP-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.213671 | ￥9641.01 |
| 6000 | ￥3.060625 | ￥18363.75 |
| 9000 | ￥2.919352 | ￥26274.17 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SQJ858EP-T1_GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 40V 75A POWERPAKSO-8
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
6mOhm @ 11A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
60nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2500pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
68W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SQJ858EP-T1_GE3 同类别型号
注
SQJ858EP-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQJ858EP-T1_GE3
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SQJ858EP-T1_GE3
型号：SQJ858EP-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.213671 |
| 6000+： | ￥3.060625 |
| 9000+： | ￥2.919352 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00