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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 11.3 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 75 nC
耗散功率 110 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 100 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 180 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 130 ns
典型接通延迟时间 45 ns
高度 26.7 mm
长度 15.7 mm
宽度 5.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FQAF16N50_NL
单位重量 7 g
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0FQAF16N50
型号:FQAF16N50
品牌:ON
供货:锐单
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