
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥2.350493 | ¥7051.48 |
| 6000 | ¥2.238556 | ¥13431.34 |
| 9000 | ¥2.135261 | ¥19217.35 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 38 nC
耗散功率 33 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
正向跨导(Min) 60 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 92 ns
典型接通延迟时间 23 ns
高度 1.04 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SIS407DN-GE3
单位重量 1 g
购物车
0SIS407DN-T1-GE3
型号:SIS407DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥2.350493 |
| 6000+: | ¥2.238556 |
| 9000+: | ¥2.135261 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00