SIHG11N80E-GE3
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- 制造商编号：
- SIHG11N80E-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：500
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 500 | ￥37.510023 | ￥18755.01 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 88 nC
耗散功率 179 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 4.5 S
上升时间 15 ns
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
SIHG11N80E-GE3 同类别型号
注
SIHG11N80E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIHG11N80E-GE3
数据手册PDF。
SIHG11N80E-GE3
型号：SIHG11N80E-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 500+： | ￥37.510023 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00