
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.630487 | ¥20.63 |
| 10 | ¥18.499576 | ¥185.00 |
| 100 | ¥14.42234 | ¥1442.23 |
| 500 | ¥11.914106 | ¥5957.05 |
| 1000 | ¥9.405874 | ¥9405.87 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 1 A
漏源电阻 8 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 6.1 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14.9 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 6.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.3 ns
典型接通延迟时间 7.7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM1NB60CW
单位重量 250 mg
购物车
0TSM1NB60CW RPG
型号:TSM1NB60CW RPG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.630487 |
| 10+: | ¥18.499576 |
| 100+: | ¥14.42234 |
| 500+: | ¥11.914106 |
| 1000+: | ¥9.405874 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥20.63