货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥56.590589 | ¥56.59 |
10 | ¥50.86975 | ¥508.70 |
25 | ¥48.094586 | ¥1202.36 |
100 | ¥38.476657 | ¥3847.67 |
250 | ¥36.339066 | ¥9084.77 |
500 | ¥34.201474 | ¥17100.74 |
1000 | ¥29.285011 | ¥29285.01 |
2500 | ¥28.857493 | ¥72143.73 |
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 22 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 227 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 33 ns
典型关闭延迟时间 73 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
购物车
0SIHB22N65E-GE3
型号:SIHB22N65E-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥56.590589 |
10+: | ¥50.86975 |
25+: | ¥48.094586 |
100+: | ¥38.476657 |
250+: | ¥36.339066 |
500+: | ¥34.201474 |
1000+: | ¥29.285011 |
2500+: | ¥28.857493 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥56.59