货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.337878 | ¥12.34 |
10 | ¥10.877707 | ¥108.78 |
100 | ¥8.343349 | ¥834.33 |
500 | ¥6.595898 | ¥3297.95 |
1000 | ¥5.276764 | ¥5276.76 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 23 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 21 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N06S4L-23 SP001028638
单位重量 330 mg
购物车
0IPD30N06S4L23ATMA2
型号:IPD30N06S4L23ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.337878 |
10+: | ¥10.877707 |
100+: | ¥8.343349 |
500+: | ¥6.595898 |
1000+: | ¥5.276764 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.34