货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥41.379137 | ¥41.38 |
10 | ¥37.182737 | ¥371.83 |
100 | ¥30.467766 | ¥3046.78 |
500 | ¥25.936385 | ¥12968.19 |
1000 | ¥21.874065 | ¥21874.07 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 115 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 60 ns
上升时间 55 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 190 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 15.4 mm
长度 10.3 mm
宽度 4.8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0R6030ENX
型号:R6030ENX
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥41.379137 |
10+: | ¥37.182737 |
100+: | ¥30.467766 |
500+: | ¥25.936385 |
1000+: | ¥21.874065 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥41.38