PSMN1R6-30PL,127
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- PSMN1R6-30PL,127
- 制造商：
- Nexperia(安世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥34.226185 | ￥34.23 |
| 10 | ￥30.704719 | ￥307.05 |
| 25 | ￥28.96252 | ￥724.06 |
| 100 | ￥22.591753 | ￥2259.18 |
| 250 | ￥22.012504 | ￥5503.13 |
| 500 | ￥19.116252 | ￥9558.13 |
| 1000 | ￥16.219876 | ￥16219.88 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
PSMN1R6-30PL,127
制造商
Nexperia(安世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
包装
Tube
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1.7mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.15V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
212nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
12493pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
306W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
PSMN1R6-30PL,127 同类别型号
注
PSMN1R6-30PL,127品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、PSMN1R6-30PL,127
数据手册PDF。
PSMN1R6-30PL,127
型号：PSMN1R6-30PL,127
品牌：Nexperia
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥34.226185 |
| 10+： | ￥30.704719 |
| 25+： | ￥28.96252 |
| 100+： | ￥22.591753 |
| 250+： | ￥22.012504 |
| 500+： | ￥19.116252 |
| 1000+： | ￥16.219876 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥34.23