货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥99.499151 | ¥99.50 |
30 | ¥64.948556 | ¥1948.46 |
120 | ¥61.921181 | ¥7430.54 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.2 kV
漏极电流 12 A
漏源电阻 1.35 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 6.5 V
栅极电荷 103 nC
耗散功率 543 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 34 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 34 ns
高度 21.46 mm
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Polar Power MOSFET HiPerFET
单位重量 6 g
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0IXFH12N120P
型号:IXFH12N120P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥99.499151 |
30+: | ¥64.948556 |
120+: | ¥61.921181 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥99.50