货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.72956 | ¥2188.68 |
6000 | ¥0.685345 | ¥4112.07 |
15000 | ¥0.641129 | ¥9616.93 |
30000 | ¥0.588084 | ¥17642.52 |
75000 | ¥0.565976 | ¥42448.20 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 825 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.09 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
高度 0.2 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
购物车
0CSD25484F4
型号:CSD25484F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.72956 |
6000+: | ¥0.685345 |
15000+: | ¥0.641129 |
30000+: | ¥0.588084 |
75000+: | ¥0.565976 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00