
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥2.238893 | ¥2238.89 |
| 2000 | ¥2.029013 | ¥4058.03 |
| 5000 | ¥1.889021 | ¥9445.10 |
| 10000 | ¥1.81908 | ¥18190.80 |
| 25000 | ¥1.772434 | ¥44310.85 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 177 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
正向跨导(Min) 3.23 S
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.9 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP373N H6327 SP001059328
单位重量 112 mg
购物车
0BSP373NH6327XTSA1
型号:BSP373NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥2.238893 |
| 2000+: | ¥2.029013 |
| 5000+: | ¥1.889021 |
| 10000+: | ¥1.81908 |
| 25000+: | ¥1.772434 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00