
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥6.97058 | ¥6.97 |
| 10 | ¥4.288422 | ¥42.88 |
| 100 | ¥2.717012 | ¥271.70 |
| 500 | ¥2.032379 | ¥1016.19 |
| 1000 | ¥1.81129 | ¥1811.29 |
制造商 Texas Instruments
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 825 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 1.09 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.5 ns
正向跨导(Min) 3.5 S
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
高度 0.2 mm
长度 1 mm
宽度 0.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 0.400 mg
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0CSD25484F4
型号:CSD25484F4
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥6.97058 |
| 10+: | ¥4.288422 |
| 100+: | ¥2.717012 |
| 500+: | ¥2.032379 |
| 1000+: | ¥1.81129 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.97