货期:国内(1~3工作日)
起订量:4000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
4000 | ¥0.699318 | ¥2797.27 |
8000 | ¥0.643544 | ¥5148.35 |
12000 | ¥0.57919 | ¥6950.28 |
28000 | ¥0.570609 | ¥15977.05 |
100000 | ¥0.527706 | ¥52770.60 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 1.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6K217FE,LF
型号:SSM6K217FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
4000+: | ¥0.699318 |
8000+: | ¥0.643544 |
12000+: | ¥0.57919 |
28000+: | ¥0.570609 |
100000+: | ¥0.527706 |
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