货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥57.489944 | ¥57.49 |
10 | ¥51.962614 | ¥519.63 |
25 | ¥49.547179 | ¥1238.68 |
100 | ¥41.086719 | ¥4108.67 |
250 | ¥38.669853 | ¥9667.46 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 230 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK31J60W,S1VQ
型号:TK31J60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥57.489944 |
10+: | ¥51.962614 |
25+: | ¥49.547179 |
100+: | ¥41.086719 |
250+: | ¥38.669853 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥57.49