
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥47.006998 | ¥47.01 |
| 10 | ¥42.487544 | ¥424.88 |
| 25 | ¥40.512548 | ¥1012.81 |
| 100 | ¥33.594803 | ¥3359.48 |
| 250 | ¥31.618637 | ¥7904.66 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 30.8 A
漏源电阻 88 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 230 W
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20 mm
长度 15.5 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 4.600 g
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0TK31J60W,S1VQ
型号:TK31J60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥47.006998 |
| 10+: | ¥42.487544 |
| 25+: | ¥40.512548 |
| 100+: | ¥33.594803 |
| 250+: | ¥31.618637 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥47.01