APT18M80B
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- 制造商编号：
- APT18M80B
- 制造商：
- MICROSEMI(美高森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
- 渠道：
- digikey
库存 ：24
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥86.595133 | ￥86.60 |
| 10 | ￥78.21363 | ￥782.14 |
| 25 | ￥74.572722 | ￥1864.32 |
| 100 | ￥61.840868 | ￥6184.09 |
| 250 | ￥58.203462 | ￥14550.87 |
| 500 | ￥54.565848 | ￥27282.92 |
| 1000 | ￥49.109222 | ￥49109.22 |
| 2500 | ￥47.290313 | ￥118225.78 |
| 5000 | ￥44.743943 | ￥223719.71 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
APT18M80B
制造商
MICROSEMI(美高森美)
商品描述
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
包装
Tube
系列
POWER MOS 8™
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
530mOhm @ 9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
120nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
3760pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 [B]
封装/外壳
TO-247-3
APT18M80B 同类别型号
注
APT18M80B品牌厂家：MICROSEMI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、APT18M80B
数据手册PDF
。
APT18M80B
型号：APT18M80B
品牌：MICROSEMI
供货：锐单
库存：24 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥86.595133 |
| 10+： | ￥78.21363 |
| 25+： | ￥74.572722 |
| 100+： | ￥61.840868 |
| 250+： | ￥58.203462 |
| 500+： | ￥54.565848 |
| 1000+： | ￥49.109222 |
| 2500+： | ￥47.290313 |
| 5000+： | ￥44.743943 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥86.60