
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.43647 | ¥4.44 |
| 10 | ¥2.84546 | ¥28.45 |
| 100 | ¥2.277899 | ¥227.79 |
| 500 | ¥2.127671 | ¥1063.84 |
| 1000 | ¥1.893149 | ¥1893.15 |
| 2000 | ¥1.745675 | ¥3491.35 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 400 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 1.1 nC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.200 mg
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0SSM6K217FE,LF
型号:SSM6K217FE,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.43647 |
| 10+: | ¥2.84546 |
| 100+: | ¥2.277899 |
| 500+: | ¥2.127671 |
| 1000+: | ¥1.893149 |
| 2000+: | ¥1.745675 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.44