
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.14519 | ¥15.15 |
| 10 | ¥9.500164 | ¥95.00 |
| 100 | ¥6.19576 | ¥619.58 |
| 500 | ¥4.773337 | ¥2386.67 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 1.8 A
漏源电阻 177 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 6.2 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13.5 ns
正向跨导(Min) 3.23 S
上升时间 5.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.9 ns
典型接通延迟时间 4.6 ns
高度 1.6 mm
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSP373N H6327 SP001059328
单位重量 112 mg
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0BSP373NH6327XTSA1
型号:BSP373NH6327XTSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.14519 |
| 10+: | ¥9.500164 |
| 100+: | ¥6.19576 |
| 500+: | ¥4.773337 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥15.15