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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 onsemi
商标名 QFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 900 V
漏极电流 6.3 A
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 35 nC
耗散功率 171 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
正向跨导(Min) 5.5 S
上升时间 110 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FQB8N90CTM
型号:FQB8N90CTM
品牌:ON
供货:锐单
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货期:1-2天
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