IPB100N06S3L-03
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- 制造商编号：
- IPB100N06S3L-03
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：8
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 8 | ￥26.019605 | ￥208.16 |
| 20 | ￥25.018991 | ￥500.38 |
| 50 | ￥24.018211 | ￥1200.91 |
| 100 | ￥23.017431 | ￥2301.74 |
| 300 | ￥22.016652 | ￥6605.00 |
| 500 | ￥21.016038 | ￥10508.02 |
| 1000 | ￥20.015093 | ￥20015.09 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IPB100N06S3L-03
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2
包装
Digi-Reel®
系列
OptiMOS™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
2.7mOhm @ 80A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 230µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
550nC @ 10V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
26240pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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注
IPB100N06S3L-03品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IPB100N06S3L-03
数据手册PDF
。
IPB100N06S3L-03
型号：IPB100N06S3L-03
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 8+： | ￥26.019605 |
| 20+： | ￥25.018991 |
| 50+： | ￥24.018211 |
| 100+： | ￥23.017431 |
| 300+： | ￥22.016652 |
| 500+： | ￥21.016038 |
| 1000+： | ￥20.015093 |
货期：7-10天
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