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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥9.472164 | ¥9.47 |
制造商 onsemi
商标名 UniFET
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 10 A
漏源电阻 640 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 185 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 50 nS
正向跨导(Min) 14 S
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 nS
典型接通延迟时间 25 nS
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FDP10N60NZ
型号:FDP10N60NZ
品牌:ON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥9.472164 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥9.47