货期:国内(1~3工作日)
起订量:800
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
800 | ¥22.078311 | ¥17662.65 |
1600 | ¥18.620263 | ¥29792.42 |
2400 | ¥17.689284 | ¥42454.28 |
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 110 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 131 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 40 ns
上升时间 129 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 38 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDB86363_F085
单位重量 4 g
购物车
0FDB86363-F085
型号:FDB86363-F085
品牌:ON
供货:锐单
单价:
800+: | ¥22.078311 |
1600+: | ¥18.620263 |
2400+: | ¥17.689284 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00