货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥2.112153 | ¥10560.77 |
10000 | ¥2.033895 | ¥20338.95 |
25000 | ¥1.955711 | ¥48892.78 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 9.1 nC
耗散功率 26 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.8 ns
正向跨导(Min) 34 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11 ns
典型接通延迟时间 2.5 ns
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ060NE2LS SP000776122
单位重量 112.430 mg
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0BSZ060NE2LSATMA1
型号:BSZ060NE2LSATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥2.112153 |
10000+: | ¥2.033895 |
25000+: | ¥1.955711 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00